3月31日，日本政府宣布修改《外汇及对外贸易法》，计划扩大半导体制造设备出口管制范围，涉及6大类23种设备。4月29日，日本政府公开征求半导体出口管制新规公共评论的期间截止[1]。期间，中国贸促会、中国半导体行业协会和中国机电商会在内的利害关系方提供了评论意见。

4月6日，商务部新闻发言人就日本宣布拟实施半导体出口管制事答记者问中表示，“个别国家频频泛化国家安全概念，滥用出口管制措施，持续加强对华半导体等产业打压，搞物项断供、技术封锁，人为割裂全球半导体市场，严重背离自由贸易原则和多边贸易规则，严重违反世贸组织规定的基本义务，严重冲击全球产业链供应链稳定。中国已向世贸组织提起诉讼。”[2]

本文拟从日本拟议中的半导体出口管制新规主要内容出发，就其世贸组织合规性前景进行分析，并就中国企业在半导体相关国际贸易中的合规措施提供建议。关于日本出口管制法律法规和管理体制的介绍，请见笔者《日本出口管制体系和制度》一文。

日本经济产业省将修改《外汇及对外贸易法》中相关出口管制措施，加强对6大类23种高性能半导体制造设备的出口管制。其中包括：

（一）薄膜（仅限于专门为使用极紫外线制造集成电路的设备设计的薄膜）制造设备；

（二）用于晶圆加工的步进重复法或步进扫描型光刻设备，其中光源的波长为193纳米或更大，以纳米表示的光源波长乘以0.25并除以数值孔径数的数值为小于等于45；

（三）用于涂覆、沉积、加热或显影抗蚀剂的设备，用于使用极紫外的集成电路制造设备；

（四）设计用于干法蚀刻的设备，属于以下任何一种情况：

1. 为各向同性干法刻蚀而设计或改性的装置，其中硅锗与硅的刻蚀选择性之比为100倍以上。

2. 为各向异性干法蚀刻而设计或改装的设备，符合以下所有条件：

(1) 具有一个或多个高频脉冲输出电源的电源；

(2) 具有一个或多个高速气体切换阀且切换时间小于300毫秒；

(3) 具有静电卡盘（仅限于具有20个或更多可单独控制温度的区域的静电卡盘） ；

（五）设计用于湿法刻蚀的设备，其中硅锗与硅的蚀刻选择性之比为100倍以上；

（六）一种用于各向异性蚀刻的装置，其中蚀刻深度与宽度比值超过介电材料30倍，宽度尺寸小于100纳米。 ）

1. 具有一个或多个高频脉冲输出电源的电源；

2. 具有一个或多个高速气体切换阀且切换时间小于300毫秒的具有一个或多个速度气体切换阀；

（七）属于以下任何一种的薄膜沉积设备：

1. 电镀沉积钴膜设备；

2. 自下而上沉积钴或钨的化学气相沉积设备，并设计成最大尺寸为在填充过程中填充的金属空隙或接缝为3纳米或更小；

3. 一种用于在单一腔室中通过多种工艺沉积金属接触层的装置，并且符合以下所有条件：

(1) 在晶片的基板温度保持在100摄氏度以上但低于500摄氏度的同时，使用有机金属化合物沉积钨层；

(2) 使用氢气（含有氢气与氮气或氨的混合物）等离子体的工艺；

4. 一种半导体制造设备，其设计成通过在多个腔室或工位中通过多个步骤形成薄膜，并在多个过程之间保持0.01帕斯卡或更小的真空状态或惰性环境（以下称为“指定的半导体制造设备”）。 并通过以下所有过程形成金属接触层的：

(1) 在将晶圆衬底温度保持在100度至500度以下的同时，使用氢气（包括氢气和氮气或氨的混合物）等离子体进行表面处理；

(2) 在将晶圆基板温度保持在40度至500摄氏度之间的同时，使用氧气或臭氧等离子体进行表面处理；

(3) 在将晶圆基板温度保持高于100摄氏度和低于500摄氏度的同时，形成钨层的工艺；

5. 在指定的半导体制造设备中，通过以下所有工艺设计为形成金属接触层的设备（不包括属于（2）的设备）： 

(1) 使用远程等离子体源和离子过滤器进行表面处理的工艺；

(2) 使用有机金属化合物选择性地在铜上沉积钴层的工艺；

6. 符合下列所有项的功函数金属（指控制晶体管阈值电压的材料）的原子层沉积设备：

(1) 在两种或两种以上的金属源中，具有一种或多种为铝前体设计的金属源；并具有设计在45摄氏度以上温度下操作的前体容器；

(2) 为形成功函数金属薄膜而设计的设备，用于沉积碳化钛铝且功函数大于4.0电子伏特；

7. 在特定半导体制造设备中，通过下列列举的全部工艺使金属接触层成膜而设计的设备——将晶圆衬底温度维持在20度以上且500度以下的同时，使用有机金属化合物形成氮化钛或碳化钨层的工艺；将晶圆衬底温度维持在500摄氏度以下的同时，在大于0.1333帕斯卡且小于13.33帕斯卡的压力中下溅射形成钴层的工艺；将晶圆衬底温度维持在20度以上且500度以下的同时，在大于133.3帕斯卡且小于13.33千帕斯卡的压力下使用有机金属化合物形成钴层的工艺；

8. 在特定半导体制造设备中，通过下列列举的全部工艺形成铜配线的设备——将晶圆衬底温度维持在20度以上且500度以下的同时，在大于133.3帕斯卡小于13.33千帕斯卡的压力下使用有机金属化合物形成钴或钌层的工艺；在维持晶圆衬底温度低于500度的同时，在大于0.1333帕斯卡且小于13.33帕斯卡的压力下使用物理气相沉积法形成铜层；

9. 为使用有机金属化合物选择性地形成阻挡层而设计的原子层沉积设备；

10. 在维持晶圆衬底温度小于500度的同时，设计为在绝缘层与绝缘层的间隙（深度相对于宽度的比率超过5倍且该宽度小于40纳米）中填充钨或钴以不产生空隙的原子层沉积设备；

（八）设计用于在 0.01 帕斯卡或更低的真空状态下或在惰性气体环境中沉积金属层的装置，符合以下所有情况：

1. 通过化学气相沉积或周期性沉积形成氮化钨层，同时保持晶圆基板温度在20度至500摄氏度之间；

2. 在133.3帕斯卡和53.33千帕之间的压力环境中，通过化学气相沉积或周期性沉积形成钨层，同时保持晶圆基板温度在20度至500摄氏度之间；

（九）设计用于在 0.01 帕斯卡或更低的真空状态下或在惰性气体环境中沉积金属层的装置，属于以下任何一种：

1. 不使用阻隔膜选择性生长钨的；

2. 不使用阻隔膜选择性生长钼的；

（十）设计用于使用有机金属化合物沉积钌层的设备，同时将晶圆基板温度保持在20度至500摄氏度之间（不包括与Re（8）对应的温度 ）

（十一）符合以下任意一项的空间原子层沉积设备（仅限于带有旋转轴的晶圆支撑台）：

1. 通过等离子体形成原子层；

2. 具有等离子原；

3. 在等离子照射区域设有等离子屏蔽罩或限制等离子的设备；

（十二）在高于400度且低于650度的温度下形成薄膜的装置或通过促进与在不同于安装晶圆的空间中产生的自由基的化学反应而形成薄膜的设备，并且设计为符合以下所有项的形成含有硅和碳薄膜的设备：

1. 介电常数小于5.3；

2. 水平开孔尺寸小于70纳米，深度相比于该尺寸的比率超过5倍的图案；

3. 图案间距小于100纳米的结构；

（十三）为用于掩膜的多层反射膜通过离子束蒸镀或物理气相沉积法形成膜而设计的设备（仅限于为“EUV光刻设备”专门设计的设备）；

（十四）为硅（包括碳掺杂）或硅锗（包括碳掺杂）的外延生长而设计的设备，并具有以下所有特性：

1. 拥有多个腔室且在多个工序间能够维持在0.01帕斯卡以下的真空状态或水氧分压小于0.01帕斯卡的惰性环境；

2. 具有一个或多个设计用于清洁晶圆表面的腔室；

3. 外延生长使用温度低于685度；

（十五）为厚度大于100纳米和应力小于450兆帕斯卡的碳硬掩膜的等离子体沉积而设计的设备；

（十六）设计为通过利用等离子体的原子层沉积法或化学气相沉积法沉积钨薄膜的设备（氟原子数小于每立方厘米1019个）；

（十七）金属配线的间隙（仅限于宽度小于25纳米且深度大于50纳米的间隙），以不产生空隙的方式使用等离子体成膜相对介电常数小于3.3的低介电层的设备；

（十八）在0.01帕斯卡以下的真空状态下运行且属于以下任何一项的退火设备：

1. 通过进行铜回流，最大限度地减少或消除铜配线中的空隙或接缝；

2. 可以通过回流钴或钨填充金属来最大限度地减少或消除空隙或接缝；

（十九）一种设计用于去除聚合物残留物和氧化铜膜并能够在0.01帕斯卡或更小的真空中形成铜膜的设备；

（二十）一种具有多个腔室或工序间的设备，该设备是设计为通过干燥工艺进行除去表面氧化物的预处理，或者设计为通过干燥工艺除去表面的污染物；

（二十一）具有在晶片表面改性后进行干燥工序的单片式湿式清洗设备；

（二十二）设计用于检查“EUV光刻设备”的掩膜坯料或掩膜图案的设备；

（二十三）一种防尘薄膜组件，特别设计用于“EUV光刻设备”。

据了解，国家商务部已经就日本半导体设备出口管制新规相关事项，在世贸组织提出了诉讼请求。根据规定，随后双方政府代表团将尽快开展双边磋商，商讨解决上述新规问题的解决方案。如磋商不成，双方可能会进入正式的世贸组织争端解决程序。值得注意的是，中日双方都是“多方临时上诉仲裁安排”的成员，也已经同意在“对日不锈钢反倾销案”（DS601）援引仲裁条款解决双方的贸易争端[3]。因此，双方就该半导体设备出口管制新规的争议有可能在世贸规则框架内得以解决，不会因上诉无门导致专家组裁决无法执行的问题。目前新规存在的问题总结如下：

一是违反世贸组织最惠国待遇原则。根据该新规，相关半导体生产设备出口至“非白名单”国家时，需要申请并获得官方发放的出口许可。而中国、俄罗斯等国均属于受限制的出口目的地。在出口限制措施歧视性地针对部分世贸成员，而并非统一适用于所有世贸成员时，该措施涉嫌违反世贸组织《关贸总协定》第1条规定的最惠国待遇条款。

二是违反普遍取消数量限制的义务。世贸组织要求世贸成员取消以数量限制为形式的进出口贸易限制措施。日本出口管制新规设定前置的出口许可，在事实上设定了以数量限制为特征的出口限制措施。因此，该新规同样涉嫌违反《关贸总协定》第11条规定的普遍取消数量限制义务的要求。

三是不符合国家安全例外的规定。世贸组织授权其成员在其根本安全利益受到威胁的情况下，可以在必要限度内采取适当的贸易限制措施。而日本新规并没有证明其国家安全或其根本安全利益受到挑战，其单方面的出口管制措施难以从国家安全角度获得支持。

鉴于日本半导体设备出口管制新规可能落地生效，我国相关企业也需要对其进行必要的合规准备：

一是密切关注法律法规的修订。目前，该新规刚刚完成公共意见的收集，后续日本经济产业省可能会根据各方意见对新规作出调整。

二是做好中短期供应链调整准备。一旦新规生效，我国相关企业获得日本相关半导体生产设备的程序将会更加复杂，可能需要配合日方出口商申请官方出口许可。同时，鉴于国家商务部已经开启对日争端解决程序，在未来两三年内很可能会有生效的世贸裁决，要求日方调整甚至取消措施。因此，建议相关企业在中短期内做好供应链调整相关的法律和义务准备。

三是准确理解日方出口管制法规的要求。正如笔者《日本出口管制体系和制度》前文介绍，日方出口管制法律法规不同于美国法规。从完善合规的角度，建议相关企业了解日本出口管制法规和措施的相关特点，以做好相应的准备。